Почему ломаются видеомагнитофоны?

В процессе производства и эксплуатации бытовых видеомагнитофонов “Электроника ВМ-12” выяснилось, что одна из причин выхода их из строя - поломка блока “ТАЙМЕР” (Т) при воздействии разряда. При этом происходит сбой или погасание временного индикатора. Когда стали проверять установленные в блоке полупроводниковые устройства, обнаружились пробой переходов диодов, транзисторов и ИС, перегорание и испарение металлизации на кристалле, а также изменение электрических параметров. Встал вопрос, какой по величине потенциал приводит к параметрическим и катастрофическим отказам составляющих блока Т.

Блок Т выполнен на базе микроЭВМ (БИС типа КР1005ВИ1) и содержит еще 15 диодов, шесть транзисторов и одну гибридную ИС. Испытания осуществлялись по программе, включающей воздействие на каждое изделие блока Т пяти разрядов как положительной, так и отрицательной полярности при различных значениях напряжения (табл.6).

Потенциалы, при которых начинались заметные изменения вольтамперных характеристик (ВАХ), имеют значительно меньшие величины, чем потенциалы, приводящие к катастрофическим отказам приборов. Наиболее чувствительным к разряду элементом блока Т оказалась БИС типа КР1005ВИ1. Потенциалы статического заряда +500 В и -700 В относительно “земляного” вывода ИС способны приводить к существенному изменению ВАХ. Под действием разряда порядка 1000 В независимо от знака практически любой р-n-переход БИС может быть выведен из строя.

Рис. 6. Зависимость количества разрядных импульсов, приводящих к катастрофическим отказам БИС типа КР1005ВИ1, от напряжения разряда.

Анализ многократных воздействий разрядов показал (рис.6), что схема, случается, успешно выдерживает одно или несколько воздействий разрядов и отказывает при следующем воздействии. Таким образом, для ИС данного типа опасность представляет не только однократное действие больших потенциалов, но и многократное - низких.

Но не все компоненты блока Т столь нежны. На рис.7 показаны типичные ВАХ полупроводниковых изделий блока Т до и после воздействия разряда. Хотя характеристики элементов после воздействия отличаются от первоначальных, определилась группа устройств, наиболее устойчивых к воздействию ЭСР: стабилитроны Д814А, КС201Г, КС409А, диод КД522Б. Перечисленные приборы вывести из строя в процессе эксперимента не удалось вплоть до подачи потенциала величиной 12 кВ

Рис. 7. Вольтамперные характеристики диода КД522Д (а) и БИС типа КР1005ВИ1 (б):

1 - до воздействия разряда; 2, 3 - после воздействия (кривая 3 соответствует более сильному воздействию).

Другое по технологическим наукам

Современное состояние в научной и инновационной сфере
Качественно новые социально-экономические и политические условия, сформировавшиеся в результате системных преобразований 90-х годов в России, выявили определенный застой в сфере научной и инновационной деятельности, сложившаяся модель которой не соответствовала требованиям нового рыночного уклада. ...